В настоящее время общепризнано, что диффузия в твердых телах происходит посредством миграции дефектов в кристалле; этими дефектами в металлах являются главным образом вакансии, а в ионных солях – вакансии или внедренные атомы. Гелий может диффундировать также и сквозь межкристаллические пространства решеток минералов.
Поскольку облучение быстрыми частицами приводит к образованию таких дефектов, естественно ожидать, что между диффузией и дозой облучения существует тесная зависимость. Вследствие облучения в кристалле может образоваться неравномерное число дефектов и, следовательно, скорость диффузии может увеличиваться в той области температур, в которой при обычных условиях эта скорость мала.